رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPB320P10LMATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPB320P10LMATMA1-DG
وصف:
TRENCH >=100V PG-TO263-3
وصف تفصيلي:
P-Channel 100 V 6.5A (Ta), 63A (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
المخزون:
810 قطع جديدة أصلية في المخزون
12968221
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPB320P10LMATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6.5A (Ta), 63A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
32mOhm @ 54A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 5.55mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
219 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
11000 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.8W (Ta), 300W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO263-3
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IPB320P
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
SP005343863
448-IPB320P10LMATMA1TR
448-IPB320P10LMATMA1DKR
448-IPB320P10LMATMA1CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
ISP14EP15LMXTSA1
SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4
IST011N06NM5AUMA1
TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-5
NTH4L022N120M3S
SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
