رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPB50N12S3L15ATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPB50N12S3L15ATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CHANNEL_100+
وصف تفصيلي:
N-Channel 120 V 50A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
المخزون:
12800184
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPB50N12S3L15ATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
120 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
50A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
15.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.4V @ 60µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4180 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
100W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO263-3-2
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IPB50N12
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
INFINFIPB50N12S3L15ATMA1
SP001398602
2156-IPB50N12S3L15ATMA1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXFA110N15T2-TRL
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXFA110N15T2-TRL-DG
سعر الوحدة
3.01
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPB120N06N G
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
IPA60R125P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 30A TO220-FP
IPA029N06NXKSA1
MOSFET N-CH 60V 84A TO220-FP
