رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPB600N25N3GATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPB600N25N3GATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 250V 25A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 250 V 25A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
المخزون:
4968 قطع جديدة أصلية في المخزون
12804282
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPB600N25N3GATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
250 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
25A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
60mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 90µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2350 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
136W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO263-3
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IPB600
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
IPB600N25N3GATMA1CT
IPB600N25N3 GCT-DG
IPB600N25N3 GTR-DG
IPB600N25N3 G
SP000676408
IPB600N25N3 GCT
IPB600N25N3 GDKR
IPB600N25N3GATMA1DKR
IPB600N25N3GATMA1TR
IPB600N25N3 G-DG
IPB600N25N3G
IPB600N25N3 GDKR-DG
IPB600N25N3 GTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF520NSTRL
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
IPD25DP06LMSAUMA1
MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3
IRFR5505CPBF
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK