رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPB60R120P7ATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPB60R120P7ATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 26A (Tc) 95W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
المخزون:
2950 قطع جديدة أصلية في المخزون
12803530
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPB60R120P7ATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
CoolMOS™ P7
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
26A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
120mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 410µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1544 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
95W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO263-3
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IPB60R120
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
IPB60R120P7ATMA1-DG
IPB60R120P7ATMA1TR
2156-IPB60R120P7ATMA1
SP001664922
IPB60R120P7ATMA1DKR
IPB60R120P7
IPB60R120P7ATMA1CT
IFEINFIPB60R120P7ATMA1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPD80N06S3-09
MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3
IPL65R195C7AUMA1
MOSFET N-CH 650V 12A 4VSON
IRFR3707
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK