رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPB60R230P6ATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPB60R230P6ATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 16.8A TO263-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 16.8A (Tc) 126W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-1
المخزون:
12804791
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPB60R230P6ATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
CoolMOS™ P6
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
16.8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
230mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 530µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1450 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
126W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO263-3-1
العبوة / العلبة
TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
رقم المنتج الأساسي
IPB60R
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
SP001364466
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STB20NM60T4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STB20NM60T4-DG
سعر الوحدة
1.70
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IPB60R280P7ATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
1086
DiGi رقم الجزء
IPB60R280P7ATMA1-DG
سعر الوحدة
0.85
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF7406PBF
MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO
IPP50R350CPHKSA1
MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3
IRFB4020PBF
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
