الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPB65R110CFDATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPB65R110CFDATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12801086
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPB65R110CFDATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
سلسلة
CoolMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
31.2A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
110mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 1.3mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
118 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3240 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
277.8W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO263-3
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IPB65R110
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
IPx65R110CFD
مخططات البيانات
IPB65R110CFDATMA1
ورقة بيانات HTML
IPB65R110CFDATMA1-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
2156-IPB65R110CFDATMA1
IPB65R110CFDATMA1CT
IPB65R110CFDCT
IPB65R110CFDATMA1DKR
IPB65R110CFD
IPB65R110CFDATMA1TR
SP000896400
IPB65R110CFDDKR
IPB65R110CFDDKR-DG
IPB65R110CFD-DG
ROCINFIPB65R110CFDATMA1
IPB65R110CFDCT-DG
IPB65R110CFDTR-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPB65R110CFDATMA2
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
1980
DiGi رقم الجزء
IPB65R110CFDATMA2-DG
سعر الوحدة
2.96
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
STB30N65M5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STB30N65M5-DG
سعر الوحدة
3.04
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STB34N65M5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STB34N65M5-DG
سعر الوحدة
2.85
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STB31N65M5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STB31N65M5-DG
سعر الوحدة
1.84
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STB35N65M5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STB35N65M5-DG
سعر الوحدة
3.50
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPA65R400CEXKSA1
MOSFET N-CH 650V TO220
IPD70R1K4P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3
IPD16CN10N G
MOSFET N-CH 100V 53A TO252-3
IPD135N03LGBTMA1
LV POWER MOS