رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPB65R190CFDAATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPB65R190CFDAATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
المخزون:
256 قطع جديدة أصلية في المخزون
12800301
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPB65R190CFDAATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
CoolMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
17.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 700µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1850 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
151W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO263-3
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IPB65R190
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
IPB65R190CFDAATMA1-DG
SP000928264
448-IPB65R190CFDAATMA1TR
448-IPB65R190CFDAATMA1DKR
448-IPB65R190CFDAATMA1CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FCB20N60FTM
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
2398
DiGi رقم الجزء
FCB20N60FTM-DG
سعر الوحدة
2.61
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSZ100N06LS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON
IPD060N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
IPC60R190E6UNSAWNX6SA1
MOSFET N-CH BARE DIE