رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPB65R190CFDATMA2
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPB65R190CFDATMA2-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
المخزون:
12801179
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPB65R190CFDATMA2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
CoolMOS™ CFD2
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
17.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 700µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1850 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
151W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO263-3
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IPB65R190
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
448-IPB65R190CFDATMA2TR
448-IPB65R190CFDATMA2CT
448-IPB65R190CFDATMA2DKR
SP001977038
IPB65R190CFDATMA2-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STB21N65M5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1748
DiGi رقم الجزء
STB21N65M5-DG
سعر الوحدة
2.31
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPP60R099C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-3
IPP16CN10NGHKSA1
MOSFET N-CH 100V 53A TO220-3
IPI65R280C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262-3
