الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPB77N06S3-09
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPB77N06S3-09-DG
وصف:
MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 55 V 77A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12804326
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPB77N06S3-09 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
55 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
77A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
8.8mOhm @ 39A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 55µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
103 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5335 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
107W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO263-3-2
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IPB77N
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
IPB77N06S3-09
ورقة بيانات HTML
IPB77N06S3-09-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
SP000088715
IPB77N06S309XT
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
AOB470L
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
AOB470L-DG
سعر الوحدة
0.68
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STB85NF55T4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
998
DiGi رقم الجزء
STB85NF55T4-DG
سعر الوحدة
1.22
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
PSMN7R6-60BS,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
7953
DiGi رقم الجزء
PSMN7R6-60BS,118-DG
سعر الوحدة
0.65
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRF1018ESTRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
12356
DiGi رقم الجزء
IRF1018ESTRLPBF-DG
سعر الوحدة
0.60
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
PSMN015-60BS,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
11707
DiGi رقم الجزء
PSMN015-60BS,118-DG
سعر الوحدة
0.51
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPD640N06LGBTMA1
MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3
IPI100N08N3GHKSA1
MOSFET N-CH 80V 70A TO262-3
IRFR220NPBF
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
IRF7464PBF
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8SO