رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPB80N06S2L11ATMA2
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPB80N06S2L11ATMA2-DG
وصف:
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 158W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
المخزون:
923 قطع جديدة أصلية في المخزون
12802443
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
Gz4g
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPB80N06S2L11ATMA2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
55 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
80A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
10.7mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 93µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2075 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
158W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO263-3-2
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IPB80N
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
INFINFIPB80N06S2L11ATMA2
IPB80N06S2L11ATMA2-DG
448-IPB80N06S2L11ATMA2TR
448-IPB80N06S2L11ATMA2DKR
SP001061398
2156-IPB80N06S2L11ATMA2
448-IPB80N06S2L11ATMA2CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STB140NF55T4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
989
DiGi رقم الجزء
STB140NF55T4-DG
سعر الوحدة
1.53
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSC240N12NS3 G
MOSFET N-CH 120V 37A TDSON-8-1
AUIRFS8409TRL
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
AUIRF1405
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
