رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPB80N08S406ATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPB80N08S406ATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 80 V 80A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
المخزون:
12805311
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPB80N08S406ATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
80A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 90µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4800 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
150W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO263-3-2
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IPB80N
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
INFINFIPB80N08S406ATMA1
2156-IPB80N08S406ATMA1
SP000984296
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXTA160N10T7
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXTA160N10T7-DG
سعر الوحدة
3.33
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPS65R1K0CEAKMA2
MOSFET N-CH 650V 7.2A TO251-3
IRLR3714ZPBF
MOSFET N-CH 20V 37A DPAK
IPI80CN10N G
MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3
