الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPB80P03P4L07ATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPB80P03P4L07ATMA1-DG
وصف:
MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
وصف تفصيلي:
P-Channel 30 V 80A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12803352
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPB80P03P4L07ATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Last Time Buy
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
80A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6.9mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 130µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
+5V, -16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5700 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
88W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO263-3-2
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IPB80P
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
IPx80P03P4L-07
مخططات البيانات
IPB80P03P4L07ATMA1
ورقة بيانات HTML
IPB80P03P4L07ATMA1-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
SP000396288
448-IPB80P03P4L07ATMA1TR
IPB80P03P4L-07-DG
IPB80P03P4L07ATMA1TR-DG
2156-IPB80P03P4L07ATMA1TR
IPB80P03P4L-07
IPB80P03P4L07ATMA1TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SQM50P03-07_GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
2375
DiGi رقم الجزء
SQM50P03-07_GE3-DG
سعر الوحدة
1.00
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IPB80P03P4L07ATMA2
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
1712
DiGi رقم الجزء
IPB80P03P4L07ATMA2-DG
سعر الوحدة
0.72
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF9388TRPBF
MOSFET P-CH 30V 12A 8SO
IPB60R120C7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 19A TO263-3
IRF6607
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
IRFH5303TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 23A/82A 8PQFN