رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPB80P04P4L06ATMA2
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPB80P04P4L06ATMA2-DG
وصف:
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
وصف تفصيلي:
P-Channel 40 V 80A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
المخزون:
3343 قطع جديدة أصلية في المخزون
12929037
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPB80P04P4L06ATMA2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS®-P2
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
80A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.2V @ 150µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
104 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
+5V, -16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6580 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
88W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO263-3-2
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IPB80P
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
448-IPB80P04P4L06ATMA2TR
448-IPB80P04P4L06ATMA2CT
448-IPB80P04P4L06ATMA2DKR
SP002325754
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
JANTXV2N6770
MOSFET N-CH 500V 12A TO204AE
R6030KNZ4C13
MOSFET N-CH 600V 30A TO247
NVMFS5C670NLWFT3G
MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN
