رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPC100N04S51R9ATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPC100N04S51R9ATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-34
المخزون:
9880 قطع جديدة أصلية في المخزون
12801779
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPC100N04S51R9ATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
100A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
7V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.4V @ 50µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3770 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
100W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TDSON-8-34
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
IPC100
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
IPC100N04S51R9ATMA1TR
SP001360564
2156-IPC100N04S51R9ATMA1TR
IPC100N04S51R9ATMA1CT
IPC100N04S51R9ATMA1DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPB180P04P403ATMA1
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
IPI11N60C3AAKSA2
MOSFET N-CH I2PAK
BSS138WH6327XTSA1
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3
