رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPC60R037P7X7SA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPC60R037P7X7SA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH HI POWER WAFER
وصف تفصيلي:
المخزون:
13270386
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPC60R037P7X7SA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
-
التقنية
-
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
-
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
-
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
-
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
-
Vgs (ماكس)
-
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
-
درجة حرارة التشغيل
-
نوع التركيب
-
حزمة جهاز المورد
-
العبوة / العلبة
-
رقم المنتج الأساسي
IPC60
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
SP001681328
448-IPC60R037P7X7SA1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPC60R070CFD7X7SA1
MOSFET N-CH HI POWER WAFER
BUZ111SLE3045A
MOSFET N-CH 50V 80A TO263
NVD5490NLT4G-VF01
MOSFET N-CH 60V 5A/17A DPAK