رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPD053N06NATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPD053N06NATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 18A (Ta), 45A (Tc) 3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
المخزون:
6883 قطع جديدة أصلية في المخزون
12799917
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPD053N06NATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
18A (Ta), 45A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5.3mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.8V @ 36µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2000 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3W (Ta), 83W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO252-3
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
IPD053
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
IPD053N06NTR-DG
IPD053N06NTR
IPD053N06NXTMA1
IPD053N06NDKR-DG
IPD053N06NCT-DG
IPD053N06N-DG
SP000962138
IPD053N06NATMA1TR
IPD053N06NATMA1DKR
IPD053N06NCT
IPD053N06NDKR
IPD053N06N
2156-IPD053N06NATMA1TR
IPD053N06NATMA1CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPB06N03LAT
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3
IAUC100N10S5L040ATMA1
MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
IPA50R800CE
MOSFET N-CH 500V 5A TO220-FP
