رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPD06P004NSAUMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPD06P004NSAUMA1-DG
وصف:
MOSFET P-CH 60V 16.4A TO252
وصف تفصيلي:
P-Channel 60 V 16.4A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
المخزون:
12804343
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPD06P004NSAUMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
16.4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
90mOhm @ 16.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 710µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1100 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
63W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO252-3-313
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
IPD06P
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
SP001863518
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPD900P06NMATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
5113
DiGi رقم الجزء
IPD900P06NMATMA1-DG
سعر الوحدة
0.40
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF3007SPBF
MOSFET N-CH 75V 62A D2PAK
IRF7700TRPBF
MOSFET P-CH 20V 8.6A 8TSSOP
IRFR812PBF
MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK
