رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPD079N06L3GATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPD079N06L3GATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-311
المخزون:
8689 قطع جديدة أصلية في المخزون
12966857
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPD079N06L3GATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
50A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
7.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.2V @ 34µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
29 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4900 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
79W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO252-3-311
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
IPD079N
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
448-IPD079N06L3GATMA1TR
448-IPD079N06L3GATMA1CT
448-IPD079N06L3GATMA1DKR
SP005559925
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PSMN4R2-80YSEX
PSMN4R2-80YSE/SOT1023/4 LEADS
SSM3K72KFS,LXHF
AUTO AEC-Q LOW RDSON SS MOS N-CH
MCB160N10Y-TP
MOSFET N-CH D2-PAK
