رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPD082N10N3GBTMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPD082N10N3GBTMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
المخزون:
12801226
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPD082N10N3GBTMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
80A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
8.2mOhm @ 73A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 75µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3980 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
125W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO252-3
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
IPD082N
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
IPD082N10N3GBTMA1TR
SP000485986
IPD082N10N3 G
IPD082N10N3 G-DG
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STD100N10F7
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
5739
DiGi رقم الجزء
STD100N10F7-DG
سعر الوحدة
1.10
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IPD082N10N3GATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
31476
DiGi رقم الجزء
IPD082N10N3GATMA1-DG
سعر الوحدة
0.82
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPN70R750P7SATMA1
MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223
IPP052NE7N3GHKSA1
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
IPA60R460CEXKSA1
MOSFET N-CH 600V 9.1A TO220-FP
