رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPD100N04S402ATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPD100N04S402ATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
المخزون:
4318 قطع جديدة أصلية في المخزون
12800231
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPD100N04S402ATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
100A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 95µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
118 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
9430 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
150W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO252-3-313
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
IPD100
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
IPD100N04S402ATMA1CT
INFINFIPD100N04S402ATMA1
IPD100N04S4-02-DG
SP000646184
2156-IPD100N04S402ATMA1
IPD100N04S402ATMA1DKR
IPD100N04S4-02
IPD100N04S402ATMA1TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPB065N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
IPD30N03S4L09ATMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
IPI65R280E6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262-3