الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPD14N06S280ATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPD14N06S280ATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 55 V 17A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12800802
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPD14N06S280ATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Discontinued at Digi-Key
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
55 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
17A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
80mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 14µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
293 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
47W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO252-3-11
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
IPD14N
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
IPD14N06S2-80
مخططات البيانات
IPD14N06S280ATMA1
ورقة بيانات HTML
IPD14N06S280ATMA1-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
IPD14N06S280ATMA1TR
2156-IPD14N06S280ATMA1
SP000252161
IPD14N06S2-80
INFINFIPD14N06S280ATMA1
IPD14N06S2-80-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFR024NTRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
4496
DiGi رقم الجزء
IRFR024NTRLPBF-DG
سعر الوحدة
0.30
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IPD14N06S280ATMA2
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
4159
DiGi رقم الجزء
IPD14N06S280ATMA2-DG
سعر الوحدة
0.26
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
IRFR024NTRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
180186
DiGi رقم الجزء
IRFR024NTRPBF-DG
سعر الوحدة
0.28
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPB100N04S303ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
IPB048N15N5LFATMA1
MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK
IPB65R190C7ATMA2
MOSFET N-CH 650V 13A TO263-3
IPB10N03LB
MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3