الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPD15N06S2L64ATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPD15N06S2L64ATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 55 V 19A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12800397
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPD15N06S2L64ATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
55 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
19A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
64mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 14µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
354 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
47W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO252-3-11
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
IPD15N
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
IPD15N06S2L-64
مخططات البيانات
IPD15N06S2L64ATMA1
ورقة بيانات HTML
IPD15N06S2L64ATMA1-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
INFINFIPD15N06S2L64ATMA1
IPD15N06S2L-64
IPD15N06S2L-64-DG
IPD15N06S2L64ATMA1TR
SP000252162
2156-IPD15N06S2L64ATMA1
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPD15N06S2L64ATMA2
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
4268
DiGi رقم الجزء
IPD15N06S2L64ATMA2-DG
سعر الوحدة
0.27
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
PJD11N06A-AU_L2_000A1
المُصنِّع
Panjit International Inc.
الكمية المتاحة
2980
DiGi رقم الجزء
PJD11N06A-AU_L2_000A1-DG
سعر الوحدة
0.13
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STD16NF06LT4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
6434
DiGi رقم الجزء
STD16NF06LT4-DG
سعر الوحدة
0.42
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
DMNH6042SK3Q-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
2143
DiGi رقم الجزء
DMNH6042SK3Q-13-DG
سعر الوحدة
0.27
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPB031N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
IPB80N06S2L-H5
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IPB50R299CPATMA1
MOSFET N-CH 550V 12A TO263-3
IPD90N06S4L03ATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3