رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPD25DP06NMATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPD25DP06NMATMA1-DG
وصف:
MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3
وصف تفصيلي:
P-Channel 60 V 6.5A (Tc) 28W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
المخزون:
2258 قطع جديدة أصلية في المخزون
12804124
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPD25DP06NMATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
250mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 270µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10.6 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
420 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
28W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO252-3-313
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
IPD25DP06
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
SP004987262
IPD25DP06NMATMA1-DG
448-IPD25DP06NMATMA1TR
448-IPD25DP06NMATMA1CT
448-IPD25DP06NMATMA1DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPD06N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
IPP90R1K2C3XKSA2
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220-3
IRF100B201
MOSFET N-CH 100V 192A TO220AB
