رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPD30N03S4L14ATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPD30N03S4L14ATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 30A (Tc) 31W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
المخزون:
18945 قطع جديدة أصلية في المخزون
12801248
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPD30N03S4L14ATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
30A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
13.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.2V @ 10µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
980 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
31W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO252-3-11
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
IPD30N03
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
IPD30N03S4L-14DKR
IPD30N03S4L-14TR
IPD30N03S4L-14DKR-DG
2156-IPD30N03S4L14ATMA1
SP000275919
IPD30N03S4L14ATMA1TR
IPD30N03S4L-14-DG
IPD30N03S4L14ATMA1DKR
INFINFIPD30N03S4L14ATMA1
IPD30N03S4L-14CT
IPD30N03S4L-14CT-DG
IPD30N03S4L-14TR-DG
IPD30N03S4L14
IPD30N03S4L-14
IPD30N03S4L14ATMA1CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSS87E6327T
MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89-4
IPF13N03LA G
MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
IPD135N03LGXT
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
