رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPD30N06S2L23ATMA3
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPD30N06S2L23ATMA3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
وصف تفصيلي:
N-Channel 55 V 30A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
المخزون:
14275 قطع جديدة أصلية في المخزون
12801499
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPD30N06S2L23ATMA3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
55 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
30A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
23mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 50µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1091 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
100W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO252-3-11
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
IPD30N06
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
IPD30N06S2L23ATMA3CT
IPD30N06S2L23ATMA3DKR
2156-IPD30N06S2L23ATMA3
SP001061286
IPD30N06S2L23ATMA3-DG
IPD30N06S2L23ATMA3TR
INFINFIPD30N06S2L23ATMA3
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BUZ32 H
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
BSR316PL6327HTSA1
MOSFET P-CH 100V 360MA SC59
BSC0503NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 22A/88A TDSON
