رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPD30N10S3L34ATMA2
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPD30N10S3L34ATMA2-DG
وصف:
MOSFET_(75V 120V(
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 30A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
المخزون:
13269117
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPD30N10S3L34ATMA2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
30A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
31mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.4V @ 29µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1976 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
57W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO252-3-11
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
SP005549680
448-IPD30N10S3L34ATMA2TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMT35M4LPSW-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506
IMDQ75R140M1HXUMA1
SILICON CARBIDE MOSFET
DMT15H053SPSW-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5