رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPD33CN10NGATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPD33CN10NGATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 27A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
المخزون:
30085 قطع جديدة أصلية في المخزون
12805386
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPD33CN10NGATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
27A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
33mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 29µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1570 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
58W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO252-3
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
IPD33CN10
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
IPD33CN10NGATMA1-DG
IPD33CN10NGATMA1CT
IPD33CN10NGATMA1TR
SP001127812
IPD33CN10NGATMA1DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF7809PBF
MOSFET N-CH 28V 14.5A 8SO
IRF7703
MOSFET P-CH 40V 6A 8TSSOP
IRF1404ZSTRL
MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
