رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPD35N10S3L26ATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPD35N10S3L26ATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-31
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 35A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
المخزون:
2802 قطع جديدة أصلية في المخزون
12800050
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPD35N10S3L26ATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
35A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
24mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.4V @ 39µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2700 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
71W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO252-3-11
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
IPD35N10
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
IPD35N10S3L26ATMA1CT
IPD35N10S3L-26-DG
IPD35N10S3L-26
SP000386184
IPD35N10S3L26ATMA1DKR
INFINFIPD35N10S3L26ATMA1
IPD35N10S3L26ATMA1TR
2156-IPD35N10S3L26ATMA1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPP05CN10L G
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
BSS225H6327XTSA1
MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
BSS123L7874XT
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
