رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPD50R500CEAUMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPD50R500CEAUMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 7.6A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
المخزون:
21359 قطع جديدة أصلية في المخزون
12805147
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPD50R500CEAUMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
CoolMOS™ CE
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7.6A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
13V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
500mOhm @ 2.3A, 13V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 200µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
18.7 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
433 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
57W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO252-3
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
IPD50R500
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
IPD50R500CEAUMA1CT
IPD50R500CEAUMA1-DG
INFINFIPD50R500CEAUMA1
IPD50R500CEAUMA1TR
IPD50R500CEAUMA1DKR
2156-IPD50R500CEAUMA1
SP001396792
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPP054NE8NGHKSA2
MOSFET N-CH 85V 100A TO220-3
IRF6633TR1PBF
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
IRFI1310NPBF
MOSFET N-CH 100V 24A TO220AB FP
