رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPD60R1K5PFD7SAUMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPD60R1K5PFD7SAUMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO252
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 3.6A (Tc) 22W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-344
المخزون:
2480 قطع جديدة أصلية في المخزون
12810869
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPD60R1K5PFD7SAUMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
CoolMOS™ PFD7
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.6A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.5Ohm @ 700mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 40µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
4.6 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
169 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
22W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO252-3-344
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
IPD60R
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
SP004748872
448-IPD60R1K5PFD7SAUMA1TR
448-IPD60R1K5PFD7SAUMA1CT
2156-IPD60R1K5PFD7SAUMA1
448-IPD60R1K5PFD7SAUMA1DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPD60R360PFD7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 10A TO252-3
IPS60R360PFD7SAKMA1
MOSFET N-CH 650V 10A TO251-3
IMZA65R027M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH