رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPD60R380P6BTMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPD60R380P6BTMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
المخزون:
12804686
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPD60R380P6BTMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
CoolMOS™ P6
حالة المنتج
Discontinued at Digi-Key
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10.6A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
380mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 320µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
877 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
83W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO252-3
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
IPD60R
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
IPD60R380P6BTMA1CT
IPD60R380P6BTMA1DKR
IPD60R380P6BTMA1TR
SP001017052
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPD60R380P6ATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IPD60R380P6ATMA1-DG
سعر الوحدة
0.69
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPP60R600CPXKSA1
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO220-3
IRF7759L2TR1PBF
MOSFET N-CH 75V 26A DIRECTFET
IPW50R299CPFKSA1
MOSFET N-CH 550V 12A TO247-3
