رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPD65R250E6XTMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPD65R250E6XTMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 16.1A TO252-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 16.1A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
المخزون:
12803183
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPD65R250E6XTMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
CoolMOS™ E6
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
16.1A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
250mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 400µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
950 pF @ 1000 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
208W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO252-3
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
IPD65R
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
IPD65R250E6XTMA1DKR
IPD65R250E6XTMA1TR
2156-IPD65R250E6XTMA1
ROCINFIPD65R250E6XTMA1
IPD65R250E6XTMA1CT
SP000898656
IPD65R250E6XTMA1-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPD65R225C7ATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
3863
DiGi رقم الجزء
IPD65R225C7ATMA1-DG
سعر الوحدة
1.04
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF7834TRPBF
MOSFET N-CH 30V 19A 8SO
IPI100N08S207AKSA1
MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3
IPSA70R1K4P7SAKMA1
MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3
