رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPD70P04P4L08ATMA2
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPD70P04P4L08ATMA2-DG
وصف:
MOSFET P-CH 40V 70A TO252-3
وصف تفصيلي:
P-Channel 40 V 70A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
المخزون:
11059 قطع جديدة أصلية في المخزون
12927870
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPD70P04P4L08ATMA2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS®-P2
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
70A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
7.8mOhm @ 70A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.2V @ 120µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
+5V, -16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5430 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
75W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO252-3-313
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
IPD70
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
448-IPD70P04P4L08ATMA2TR
448-IPD70P04P4L08ATMA2CT
448-IPD70P04P4L08ATMA2DKR
SP002325772
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPD85P04P4L06ATMA2
MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
JANTX2N6800U
MOSFET N-CH 400V 3A 18ULCC
IPB80P04P4L08ATMA2
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
