رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPD80R2K0P7ATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPD80R2K0P7ATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 3A TO252-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 3A (Tc) 24W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
المخزون:
67 قطع جديدة أصلية في المخزون
12802901
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPD80R2K0P7ATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
CoolMOS™ P7
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2Ohm @ 940mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 50µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
175 pF @ 500 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
24W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO252-3
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
IPD80R2
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
2156-IPD80R2K0P7ATMA1
INFINFIPD80R2K0P7ATMA1
IPD80R2K0P7ATMA1DKR
IPD80R2K0P7ATMA1CT
SP001634906
IPD80R2K0P7ATMA1TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STD4N80K5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
3774
DiGi رقم الجزء
STD4N80K5-DG
سعر الوحدة
0.61
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPF05N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
IPP120N08S404AKSA1
MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
IPN70R2K1CEATMA1
MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
