رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPD80R2K4P7ATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPD80R2K4P7ATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 2.5A (Tc) 22W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
المخزون:
2421 قطع جديدة أصلية في المخزون
12803344
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPD80R2K4P7ATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
CoolMOS™ P7
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.4Ohm @ 800mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 40µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
150 pF @ 500 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
22W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO252-3
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
IPD80R2
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
IPD80R2K4P7ATMA1TR
IPD80R2K4P7ATMA1CT
IFEINFIPD80R2K4P7ATMA1
2156-IPD80R2K4P7ATMA1
SP001644284
IPD80R2K4P7ATMA1DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STD4LN80K5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
2485
DiGi رقم الجزء
STD4LN80K5-DG
سعر الوحدة
0.59
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPC60R380E6X1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
IPP90N06S4L04AKSA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
IPD60R600P7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
