رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPD90N06S4L03ATMA2
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPD90N06S4L03ATMA2-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
المخزون:
5731 قطع جديدة أصلية في المخزون
12800663
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPD90N06S4L03ATMA2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
90A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.5mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.2V @ 90µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
13000 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
150W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO252-3-11
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
IPD90
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
2156-IPD90N06S4L03ATMA2
SP001028764
INFINFIPD90N06S4L03ATMA2
448-IPD90N06S4L03ATMA2CT
IPD90N06S4L03ATMA2-DG
448-IPD90N06S4L03ATMA2DKR
448-IPD90N06S4L03ATMA2TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPD200N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
BUZ31L
MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3
IPA60R280C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-FP
