رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPDD60R050G7XTMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPDD60R050G7XTMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 47A HDSOP-10
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 47A (Tc) 278W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-10-1
المخزون:
3335 قطع جديدة أصلية في المخزون
12802883
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPDD60R050G7XTMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
CoolMOS™ G7
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
47A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
50mOhm @ 15.9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 800µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2670 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
278W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-HDSOP-10-1
العبوة / العلبة
10-PowerSOP Module
رقم المنتج الأساسي
IPDD60
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,700
اسماء اخرى
IPDD60R050G7XTMA1DKR
IPDD60R050G7XTMA1TR
INFINFIPDD60R050G7XTMA1
IPDD60R050G7XTMA1CT
SP001632818
2156-IPDD60R050G7XTMA1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFU7546PBF
MOSFET N-CH 60V 56A IPAK
IRF7404TRPBF
MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SO
IAUS165N08S5N029ATMA1
MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8
