رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPDD60R105CFD7XTMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPDD60R105CFD7XTMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 31A HDSOP-10
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 31A (Tc) 198W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-10-1
المخزون:
72 قطع جديدة أصلية في المخزون
12948579
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPDD60R105CFD7XTMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
CoolMOS™ CFD7
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
31A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
105mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 390µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1504 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
198W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-HDSOP-10-1
العبوة / العلبة
10-PowerSOP Module
رقم المنتج الأساسي
IPDD60
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,700
اسماء اخرى
448-IPDD60R105CFD7XTMA1CT
448-IPDD60R105CFD7XTMA1DKR
448-IPDD60R105CFD7XTMA1TR
SP005060554
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPB65R190CFD7AATMA1
MOSFET N-CH 650V 14A TO263-3
IPDD60R045CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 61A HDSOP-10
IPDD60R125CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 27A HDSOP-10
