رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPDQ60R022S7XTMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPDQ60R022S7XTMA1-DG
وصف:
HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 24A (Tc) 416W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22-1
المخزون:
12968723
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPDQ60R022S7XTMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
CoolMOS™ S7
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
24A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
12V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
22mOhm @ 23A, 12V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 1.44mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
150 nC @ 12 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5639 pF @ 300 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
416W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-HDSOP-22-1
العبوة / العلبة
22-PowerBSOP Module
رقم المنتج الأساسي
IPDQ60R
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
750
اسماء اخرى
448-IPDQ60R022S7XTMA1CT
448-IPDQ60R022S7XTMA1DKR
SP005559293
448-IPDQ60R022S7XTMA1TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IAUA210N10S5N024AUMA1
MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
IPP65R075CFD7AAKSA1
AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO220-3
IPDQ60R035CFD7XTMA1
HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22