رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPG20N04S4L07ATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPG20N04S4L07ATMA1-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 40V 20A 65W Surface Mount PG-TDSON-8-4
المخزون:
4850 قطع جديدة أصلية في المخزون
12802696
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPG20N04S4L07ATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
20A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
7.2mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.2V @ 30µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
50nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3980pF @ 25V
الطاقة - الحد الأقصى
65W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
حزمة جهاز المورد
PG-TDSON-8-4
رقم المنتج الأساسي
IPG20N
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
IPG20N04S4L07ATMA1-DG
2156-IPG20N04S4L07ATMA1
IPG20N04S4L07ATMA1CT
INFINFIPG20N04S4L07ATMA1
IPG20N04S4L07ATMA1TR
IPG20N04S4L07ATMA1DKR
SP000705484
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF7504TRPBF
MOSFET 2P-CH 20V 1.7A MICRO8
IPG20N06S415AATMA1
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
BSO615CGHUMA1
MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8DSO