رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPI120N06S402AKSA2
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPI120N06S402AKSA2-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
المخزون:
12803958
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPI120N06S402AKSA2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Last Time Buy
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
120A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.8mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 140µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
195 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
15750 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
188W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO262-3-1
العبوة / العلبة
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
رقم المنتج الأساسي
IPI120
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
2156-IPI120N06S402AKSA2
SP001028778
INFINFIPI120N06S402AKSA2
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPI041N12N3GAKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
494
DiGi رقم الجزء
IPI041N12N3GAKSA1-DG
سعر الوحدة
2.74
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IPI80N06S407AKSA2
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
500
DiGi رقم الجزء
IPI80N06S407AKSA2-DG
سعر الوحدة
0.80
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFH5104TR2PBF
MOSFET N-CH 40V 24A/100A PQFN
IRFR420TRPBF
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
IRFR3303TRL
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
