رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPI147N12N3GAKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPI147N12N3GAKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 120 V 56A (Ta) 107W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
المخزون:
12804967
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPI147N12N3GAKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Discontinued at Digi-Key
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
120 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
56A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
14.7mOhm @ 56A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 61µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3220 pF @ 60 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
107W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO262-3
العبوة / العلبة
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
رقم المنتج الأساسي
IPI147
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
IFEINFIPI147N12N3GAKSA1
IPI147N12N3 G-DG
2156-IPI147N12N3GAKSA1
IPI147N12N3G
IPI147N12N3 G
SP000652744
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDI150N10
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
3338
DiGi رقم الجزء
FDI150N10-DG
سعر الوحدة
1.16
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPAN50R500CEXKSA1
MOSFET N-CH 500V 11.1A TO220
IRFH5300TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 40A PQFN
IRF5802
MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
