رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPI50R299CPXKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPI50R299CPXKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 12A TO262-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 12A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
المخزون:
12799983
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPI50R299CPXKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
CoolMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
299mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 440µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1190 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
104W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO262-3
العبوة / العلبة
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
رقم المنتج الأساسي
IPI50R
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
IPI50R299CP-DG
2156-IPI50R299CPXKSA1-IT
SP000523748
IPI50R299CP
IFEINFIPI50R299CPXKSA1
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STP18N55M5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
971
DiGi رقم الجزء
STP18N55M5-DG
سعر الوحدة
1.33
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSS119E6327
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
IPN60R360P7SATMA1
MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
BSP125H6327XTSA1
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
