رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPI60R125CPXKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPI60R125CPXKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 25A TO262-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 25A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
المخزون:
490 قطع جديدة أصلية في المخزون
12800461
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPI60R125CPXKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
CoolMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
25A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
125mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 1.1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2500 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
208W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO262-3
العبوة / العلبة
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
رقم المنتج الأساسي
IPI60R125
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
IPI60R125CP
IPI60R125CP-DG
SP000297355
2156-IPI60R125CPXKSA1
INFINFIPI60R125CPXKSA1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPB039N10N3GE8187ATMA1
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
BSS123L6327HTSA1
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
IPD60R180C7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 13A TO252-3