رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPI60R385CPXKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPI60R385CPXKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 9A TO262-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 9A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
المخزون:
12804465
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPI60R385CPXKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
CoolMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
9A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
385mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 340µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
790 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
83W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO262-3
العبوة / العلبة
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
رقم المنتج الأساسي
IPI60R
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
IPI60R385CPAKSA1
INFINFIPI60R385CPXKSA1
2156-IPI60R385CPXKSA1-IT
SP000103250
IPI60R385CPXK
IPI60R385CP
IPI60R385CP-DG
IPI60R385CPX
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STI24N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1180
DiGi رقم الجزء
STI24N60M2-DG
سعر الوحدة
1.07
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STI18N65M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
229
DiGi رقم الجزء
STI18N65M2-DG
سعر الوحدة
1.05
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF520NSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
IRFS3207TRLPBF
MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK
IPW90R800C3FKSA1
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO247-3
