رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPI60R520CPAKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPI60R520CPAKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO262-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 6.8A (Tc) 66W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
المخزون:
12803463
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPI60R520CPAKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
CoolMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6.8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
520mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 340µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
630 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
66W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO262-3
العبوة / العلبة
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
رقم المنتج الأساسي
IPI60R
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
IPI60R520CP
IPI60R520CP-DG
SP000405872
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STP13N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
971
DiGi رقم الجزء
STP13N60M2-DG
سعر الوحدة
0.76
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STP10N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
990
DiGi رقم الجزء
STP10N60M2-DG
سعر الوحدة
0.51
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPI22N03S4L15AKSA1
MOSFET N-CH 30V 22A TO262-3
IRF60DM206
MOSFET N-CH 60V 130A DIRECTFET
IPA90R500C3XKSA2
MOSFET N-CH 900V 11A TO220
