رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPI65R110CFDXKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPI65R110CFDXKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO262-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
المخزون:
12805494
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPI65R110CFDXKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
CoolMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
31.2A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
110mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 1.3mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
118 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3240 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
277.8W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO262-3
العبوة / العلبة
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
رقم المنتج الأساسي
IPI65R
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
IPI65R110CFD-DG
2156-IPI65R110CFDXKSA1
IPI65R110CFD
INFINFIPI65R110CFDXKSA1
SP000896398
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STI33N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STI33N60M2-DG
سعر الوحدة
1.72
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF6725MTRPBF
MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET
IRF1407S
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
IPW50R199CPFKSA1
MOSFET N-CH 550V 17A TO247-3
