رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPI65R380C6XKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPI65R380C6XKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO262-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
المخزون:
500 قطع جديدة أصلية في المخزون
12804001
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
5mSk
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPI65R380C6XKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
CoolMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10.6A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
380mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 320µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
710 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
83W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO262-3
العبوة / العلبة
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
رقم المنتج الأساسي
IPI65R380
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
IPI65R380C6
IPI65R380C6XKSA1-DG
448-IPI65R380C6XKSA1
IPI65R380C6-DG
2156-IPI65R380C6XKSA1
SP000785080
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF9Z34NSTRR
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
IRF1405LPBF
MOSFET N-CH 55V 131A TO262
IPC60R385CPX1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE