رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPI80N04S403AKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPI80N04S403AKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 94W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
المخزون:
498 قطع جديدة أصلية في المخزون
12805932
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPI80N04S403AKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
80A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 53µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5260 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
94W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO262-3
العبوة / العلبة
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
رقم المنتج الأساسي
IPI80N04
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
IFEINFIPI80N04S403AKSA1
IPI80N04S4-03-DG
2156-IPI80N04S403AKSA1
IPI80N04S4-03
SP000671634
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPI60R250CPAKSA1
MOSFET N-CH 650V 12A TO262-3
IRLZ44ZSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
IRLU8721-701PBF
MOSFET N-CH 30V 65A I-PAK
