رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPI80N06S207AKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPI80N06S207AKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
المخزون:
12801725
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPI80N06S207AKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Discontinued at Digi-Key
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
55 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
80A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6.6mOhm @ 68A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 180µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3400 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
250W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO262-3
العبوة / العلبة
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
رقم المنتج الأساسي
IPI80N
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
2156-IPI80N06S207AKSA1
INFINFIPI80N06S207AKSA1
SP000218817
IPI80N06S2-07
IPI80N06S2-07-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STP80NF55-06
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
999
DiGi رقم الجزء
STP80NF55-06-DG
سعر الوحدة
1.54
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSP296E6327
MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4
BSC079N10NSGATMA1
MOSFET N-CH 100V 13.4A 8TDSON
IRFH8334TRPBF
MOSFET N-CH 30V 14A/44A PQFN
